《MarketWatch》報導，美光科技 (Micron Technology)(MU.US) 周二 (17 日) 收盤時市值首次突破 5,000 億美元，投資人對公司即將公布的財報更加樂觀。
雖然美光在前一個交易日盤中已一度達到該市值里程碑，但周二是首次以收盤價站上該水準。目前在標普 500 指數成分股中，市值達 5,000 億美元以上公司僅有 15 家。
周二股價上漲 4.5%，部分原因是投資人獲得利多消息。這家記憶體晶片製造商在周一收盤後表示，其為輝達 (Nvidia)(NVDA.US) 即將推出的 Vera Rubin 人工智慧平台提供的下一代高頻寬記憶體 (HBM) 晶片已進入大規模量產。
這也平息了市場先前的猜測，即美光可能無法成為輝達新一代晶片 HBM4 的供應商，或至少初期會缺席。
美光股價周二收在 461.69 美元，市值達 5,196.4 億美元。兩個月前，美光才首次突破 4,000 億美元市值。
目前除了南韓的 SK 海力士 (SK Hynix) 與三星電子 (Samsung Electronics) 外，美光是唯一能生產 HBM4 的廠商。隨著 AI 模型規模與複雜度持續提升，對這種高階記憶體產品的需求快速增加。
記憶體市場嚴重短缺，使主要廠商得以顯著提高價格。投資人也看好這項趨勢，今年以來美光股價已上漲逾 60%。
德銀分析師 Melissa Weathers 表示，在美光周三公布財報前，記憶體市場基本面仍然強勁，因為需求依然遠超過供給。
她在上周的報告中指出，動態隨機存取記憶體 (DRAM) 市場的供給緊張預計將持續至 2027 年，尤其是 HBM 相較於傳統 DRAM 產品需要更多矽晶片。
Weathers 表示，這將讓美光能提高 DRAM 業務的平均銷售價格，進一步推升營收與利潤率。
此外，公司周日宣布完成收購力積電 (Powerchip Semiconductor Manufacturing) 位於台灣銅鑼的 P5 廠區。該交易於今年 1 月宣布，將擴大美光在台灣的無塵室產能，為生產包括 HBM 的 DRAM 產品提供更多製造空間。
由於記憶體產業具有高度周期性，晶片製造商過去一直不願大幅增加產能，以免未來需求下滑。不過，在供給緊張預料將持續的情況下，美光與其他廠商已宣布擴大 DRAM 與 NAND 產能，此次收購便是其中一例。
Rosenblatt 分析師 Kevin Cassidy 表示，他預計這波記憶體景氣上行周期至少會持續到 2026 會計年度第四季，因為「具有意義的新晶圓產能」至少要到明年年中 才會出現。美光則表示，台灣新廠區預計要到 2028 會計年度才會開始為現有晶圓廠帶來「顯著」的出貨支撐。
在供給短缺情況下，客戶也急於簽訂長期供應合約以鎖定產能與價格。Cassidy 指出，美光仍需要說服投資人，即使公司增加晶圓產能，也能持續維持這些合約。
投資人也將關注，價格上漲是否會導致需求被抑制，也就是客戶因記憶體價格過高而在一段時間內減少採購。AI 帶動的晶片需求也在一定程度上擠壓了消費電子市場。
不過 RBC Capital Markets 分析師 Srini Pajjuri 在周日報告中指出，他預期即使個人電腦與智慧型手機市場的記憶體需求出現一些壓力，也將被 AI 與資料中心需求所抵銷。Pajjuri 表示，目前資料中心已占 DRAM 市場營收的一半以上，他預計對 HBM 與 DDR 記憶體的需求將持續至 2027 年。
分析師對美光第二季的預測顯示，公司營收可望達 198 億美元，較去年同期大增 145%。市場預期其調整後每股盈餘 (EPS) 為 9.19 美元，淨利約 103 億美元，年增幅度達 489%。
(美股為即時串流報價； OTC市場股票除外，資料延遲最少15分鐘。)新聞來源 (不包括新聞圖片): 鉅亨網