10月5日|據快科技,台積電在2nm製程節點上取得了重大突破,將首次引入Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管技術。此外,N2工藝還結合了NanoFlex技術,為芯片設計人員提供了前所未有的標準元件靈活性。相較於當前的N3E工藝,N2工藝預計將在相同功率下實現10%至15%的性能提升,或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。更令人矚目的是,晶體管密度將提升15%,這標誌着台積電在半導體技術領域的又一次飛躍。