據《日經亞洲》報道，儘管被美國列入實體清單，內地NAND閃存晶片龍頭長江存儲(YMTC)，正因國產化趨勢與人工智能熱潮帶動的內需激增，已啟動第三座工廠的建設工程。
報道引述三位知情人士透露，長江存儲已於武漢展開第三座廠房建設，計劃於2027年投產，同時正加速提升第二座廠房的產能佈局。長江存儲市佔率持續擴張，即便仍聚焦內地市場，兩年內其產能有望躍居全球第五甚至第四大生產商。
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另有兩名消息人士向《日經亞洲》表示，長江存儲正考慮進軍動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片領域，此類晶片正是AI資料中心廣泛使用的高頻寬記憶體(HBM)基礎元件。無論DRAM或NAND快閃記憶體，均為資料中心、電腦、智慧型手機及其他電子設備的關鍵零組件。NAND生產長期由少數供應商主導，包括三星電子(005930.KS)、鎧俠(285A.JP)、SanDisk(SNDK.US) 、SK海力士(000660.KS)、美光科技(MU.US) 以及思得(Solidigm)。(da/a)(美股為即時串流報價； OTC市場股票除外，資料延遲最少15分鐘。)
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