A股三大指數今日小幅上漲，滬指盤中一度逼近4100點；截至收盤，滬指漲0.05%報4085點錄得14連陽，深證成指漲0.06%，創業板指漲0.31%。全市場成交額2.88萬億元，較前一交易日增量493億元，近3200股下跌。 盤面上，存儲芯片價格持續上漲，存儲芯片板塊爆發。
半導體設備ETF廣發、科創半導體ETF鵬華、半導體設備ETF易方達、半導體設備ETF基金、半導體設備ETF、科創半導體ETF、科創半導體設備ETF、半導體材料ETF漲超7%；半導體產業ETF、半導體設備ETF漲超6%。
半導體設備ETF聚焦產業鏈上游，指數中半導體設備含量62.8%，半導體材料含量23.7%，合計權重佔比超86.5%，成份股包括北方華創、中微公司、拓荊科技、長川科技、滬硅產業等龍頭公司。
科創半導體ETF聚焦科創板的半導體國產替代設備+材料，成份股涵蓋中微公司（刻蝕設備）、拓荊科技（薄膜沉積設備）、華海清科（CMP設備）、滬硅產業（300mm硅片）、天嶽先進（碳化硅襯底）。
消息面上,據TrendForce研究報告預測，隨着服務器需求吸收產品供應，NAND快閃記憶芯片合約價格在3月的季度將上漲33%-38%，傳統DRAM合約價格預計將攀升55%-60%，記憶芯片市場今年將有強勁的增長動力。
美光據報加速HBM4芯片擴產，月產能將提升至1.5萬片。據CNMO科技，行業消息稱，美光計劃在2026年將HBM4月產能提升至1萬5000片晶圓規模，佔其整體HBM總產能（約5萬5000片/月）的近30%，顯示出其全力押注下一代AI內存市場的戰略意圖。長期以來，美光在HBM領域因產能規模落後於韓國競爭對手而處於劣勢。但這一局面正在改變。美光CEO桑傑·梅赫羅特拉在2025年12月財報會上表示，公司將於2026年第二季度起顯著提升HBM4產量，並預計其良率爬坡速度將快於上一代HBM3E。業內分析指出，美光已啟動設備投資，正加快產能建設。
國金證券指出，AI強需拉動，26Q1存儲芯片價格有望繼續大漲。Google、Meta、微軟及亞馬遜AWS等北美四大雲廠（CSP）持續擴大AI基礎建設投資，2026年總投資金額有望達到6000億美元（約合4.2萬億元人民幣）歷史新高規模。在AI強勁需求帶動下，2025年存儲芯片價格大漲，其中DDR416Gb漲幅高達1800%，DDR516Gb漲幅高達500%，512Gb NAND閃存漲幅高達300%。2026年全年全球存儲芯片仍將供不應求，有望持續漲價，預計2026年DRAM的位元供應量增幅約為15%至20%，而需求增速預計將達到20%至25%左右。NAND位元供應量增幅為13%至18%，需求增速預計則達到18%至23%，2026年服務器領域的DRAM和NAND閃存消耗量將同比激增40%至50%，應用於AI服務器領域的增速更快。預測2026年Q1，存儲合約價格預計繼續攀升，漲幅將達到30%~40%。DDR5 RDIMM內存價格預計將上漲超過40%，NAND閃存價格預計將出現兩位數百分比的漲幅。
新聞來源 (不包括新聞圖片): 格隆匯